| Marque | Vishay |
| Produit | IRF9Z14PBF |
| Code intérieur | IMP967670 |
| Poids | 0.2 |
| Spécifications techniques | MOSFET P-Chan 60 V 6,7 A Attribut du produit Valeur d'attribut Select the attribute Fabricant : Vishay Category of product : MOSFET RoHS : Détails Technologie : Oui Style de montage : Through Hole Package/Box : TO-220AB-3 Polarity du transistor : canal P Nombre de canaux : 1 Channel Vds - Tension de rupture de la source de vidange : 60 V Id - Courant continu de fuite : 6,7 A Rds On - Résistance à la source de vidange : 500 mOhms Vgs - Source de tension de la grille : - 20 V, + 20 V Vgs th - Tension de seuil de grille : 4 V Qg - Charge de grille : 12 nC Temperature de fonctionnement min. : - 55 °C Temperature de fonctionnement max. : + 175 °C Pd - Energy Dissipation : 43 W Mode canal : Enhancement Série : IRF9Z Conditionnement : tube Marque : Vishay Semiconductors Configuration : Unique Temps de descente : 31 ns Hauteur : 15,49 mm Length : 10,41 mm Type de produit : MOSFET Temps de montée : 63 ns 1000 Sous-catégorie : MOSFET Type de transistor : 1 canal P Type de délai de désactivation : 10 ns Délai d'activation standard : 11 ns Width : 4,7 mm Raccourcis pour l'article N° : IRF9Z14PBF-BE3 Poids de l'unité : 2 g |
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